커패시터에 High-K 재료를 적용하는 것 외에 산화막에도 High-K 재료를 사용합니다. 산화막에 High-K를 사용하게 되면 실리콘 게이트와 문제가 발생해서 게이트를 메탈 소재로 변경하게 됩니다. 이를 HKMG(High-K Metal Gate)라고 합니다. 이번에는 HKMG, 3D 디램, ALD 증착에 대해 알아보겠습니다.
(2023년 2월 18일 방송)
1. High-K, HKMG
게이트와 산화막 소재가 실리콘에서 메탈로 변경
HKMG(High-K Metal Gate)
실리콘 소재 산화막이 누설 전류를 발생시켜서 산화막에 High-K 소재 하프늄을 쓴다. 그런데 하프늄이 실리콘 게이트와 만나면 정전용량을 줄여서 게이트를 금속으로 변경한다. 그러면 누설전류가 1/1000로 감소한다.
2. 3D 디램
3. HKMG, 3D 디램 밸류체인
4. ALD 증착
5. 염블리와 함께 링크
(2023년 2월 18일 방송)
https://youtu.be/mrE7mI85Fhk?si=2iWKARfbavbUz09w
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