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염블리와 함께배우기 반도체 - EUV와 함께하는 기업분석 PART1 (동진쎄미캠, 피에스케이, 엘오티베큠) EUV 관련 기업 중에서 동진쎄미켐, 피에스케이, 엘오티베큠이 있습니다. 동진쎄미켐은 감광액을 만드는 기업이고, 피에스케이는 PR Strip, 엘오티베큠은 건식진공펌프는 만드는 기업입니다. 이 기업들의 사업 분야에 대해 자세히 알아보겠습니다. (2023년 5월 5일 방송) 1. 동진쎄미켐 1) 포토 레지스트 2) 무기물 PR 3) 실리콘 음극재 4) 도전재 밸류체인 2. 피에스케이 1) PR Strip 2) NHM (New Hard Mask) 제거 장비 3) 건식 세정 장비 4) Bevel Etch 장비 5) 건식 식각 장비 건식 식각 장비를 개발 중인데, 이것이 성공하면 기업 가치가 레벨 업됨 6) EUV PR Strip 장비 3. 엘오티베큠 2022년 실적에는 태양광이 1000억을 차지하고 있어서 순.. 2024. 1. 14.
염블리와 함께배우기 반도체 - 건식 식각공정과 SiC링(TEL,하나머티리얼즈) 식각공정에는 습식 식각과 건식 식각이 있는데 건식 식각을 더 많이 사용한다고 합니다. 건식 식각에는 전도체 식각과 유전체 식각이 있습니다. 유전체 식각이 더 중요한데 고압을 사용하여 콘텍 식각을 합니다. 3D 낸드가 고단화됨에 따라 더 중요해진 식각에 대해 알아보겠습니다. (2023년 4월 30일 방송) 1. 식각공정 식각공정을 통해 산화막의 필요없는 부분을 제거한다. 식각공정에는 습식과 건식이 있는데 건식 식각을 많이 사용한다. 건식식각이 정확성이 좋고, 미세 패터닝이 가능하기 때문이다. 하지만 비싸고 공정이 어려운 단점이 있다. 건식 식각에는 전도체 식각과 유전체 식각이 있다. 유전체 식각이 더 중요한데 고압을 사용하여 콘텍 식각을 한다. 1) 전도체 식각 전도체 식각은 저압과 플라즈마를 이용하여 폴.. 2024. 1. 13.
염블리와 함께배우기 반도체 - EUV 펠리클, EUV PR EUV는 빛을 쏘아서 거울에 몇 번 반사시켜서 도달합니다. EUV를 도입하는 이유는 공간, 가격, 전력을 효율적으로 사용할 수 있기 때문에 도입하려고 합니다. 하지만 EUV 장비를 받기가 너무 어렵고, 기술이 너무 어렵고 돈이 너무 많이 든다고 합니다. 그래서 EUV를 다 사용할 수는 없고 기존 장비를 같이 써야 한다고 합니다. 그 어렵다는 EUV에 대해 알아봅시다. (2023년 4월 29일 방송) 1. EUV EUV는 빛이 흡수되려는 성질이 있어서 반사시킨다. 펠리클의 투과율을 높여야 한다. 2. EUV 관련 기업 3. 염블리와 함께 링크 (2023년 4월 29일 방송) https://youtu.be/gEiXYA3OQaE?si=M62GDk6z4YF7ZR6A 2024. 1. 12.
염블리와 함께배우기 반도체 보너스3 - Low-K 밸류체인, 스택VS트렌치 반도체 기술이 미세화, 고도화됨에 따라 High-K를 많이 사용하게 되지만, Low-K도 사용돼야 하는 분야가 있습니다. Low-K 도 없어지지 않고 계속 사용되고 있으니 자세히 알아보도록 합시다. (2023년 2월 18일 방송) 1. MOSFET 2. D램의 역사 스택이 트렌치 방식을 이겼다. 3. Low-K 1) 금속배선, 전하가 다니는 통로 주변 High-K 가 ALD (원자층 증착) 방식을 사용하는데 반해 Low-K는 CVD(화학기상 증착)으로 입힌다. 2) 메탈 사이의 절연체 메탈과 메탈은 만나면 안 되기 때문에 사이에 절연체로 Low-K를 사용한다. 3) 3D 낸드 적층 4. Low-K 밸류체인 일본 Adeaka 가 세계 1위지만 한국 기업도 많이 발전했다. 소재 강국은 일본이지만 한국이 국산.. 2024. 1. 11.
염블리와 함께배우기 반도체 보너스2 - High-K와 HKMG(High-K 소재 밸류체인, ALD 증착장비) 커패시터에 High-K 재료를 적용하는 것 외에 산화막에도 High-K 재료를 사용합니다. 산화막에 High-K를 사용하게 되면 실리콘 게이트와 문제가 발생해서 게이트를 메탈 소재로 변경하게 됩니다. 이를 HKMG(High-K Metal Gate)라고 합니다. 이번에는 HKMG, 3D 디램, ALD 증착에 대해 알아보겠습니다. (2023년 2월 18일 방송) 1. High-K, HKMG 게이트와 산화막 소재가 실리콘에서 메탈로 변경 HKMG(High-K Metal Gate) 실리콘 소재 산화막이 누설 전류를 발생시켜서 산화막에 High-K 소재 하프늄을 쓴다. 그런데 하프늄이 실리콘 게이트와 만나면 정전용량을 줄여서 게이트를 금속으로 변경한다. 그러면 누설전류가 1/1000로 감소한다. 2. 3D 디램 .. 2024. 1. 10.
염블리와 함께배우기 반도체 보너스1 - High-K의 모든 것(MOSFET, 커패시터) 이번에는 반도체 기술이 고도화됨에 따라 더 필요한 기술들에 대해 알아보겠습니다. 반도체에 전하를 꾀어내는 성질인 유전율을 높이기 위해 커패시터에 High-K 소재를 많이 사용하고, 이것을 MOSFET에 적용하고 있습니다. (2023년 2월 18일 방송) 1. MOSFET 현재 반도체는 이런 구조로 되어 있는데 반도체 1개에 이런 셀이 엄청 많다. 2. 커패시터 3. 유전율 4. High-K 5. High-K, 커패시터 밸류체인 6. 염블리와 함께 링크 (2023년 2월 18일 방송) https://youtu.be/41bY0J2QGAo?si=yOkfRzU4Gl8NaBtl 2024. 1. 10.